制造商型号: | SI2301BDS-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SI2301BDS-T1-E3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SI2301BDS-T1-E3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SI2301BDS-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI2301BDS-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 10 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 6.5 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2301BDS-T1-BE3 SI2301BDS-E3
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.868575 | 2605.72 |
6000 | 0.832447 | 4994.68 |
9000 | 0.749231 | 6743.08 |
30000 | 0.738126 | 22143.78 |
75000 | 0.693706 | 52027.95 |
品牌其他型号
SI2301BDS-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购SI2301BDS-T1-E3、查询SI2301BDS-T1-E3代理商; SI2301BDS-T1-E3价格批发咨询客服;这里拥有
SI2301BDS-T1-E3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
SI2301BDS-T1-E3替代型号
、
SI2301BDS-T1-E3数据手册PDF。