制造商型号： | SI8800EDB-T2-E1 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI8800EDB-T2-E1
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SI8800EDB-T2-E1 中文资料
数据手册PDF
SI8800EDB-T2-E1 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 279.143 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.03717 总价：￥6.04 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.03717 | 6.04 |
| 10 | 5.173026 | 51.73 |
| 100 | 3.861421 | 386.14 |
| 500 | 3.033738 | 1516.87 |
| 1000 | 2.344316 | 2344.32 |
品牌其他型号
SI8800EDB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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