制造商型号： | SI5908DC-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI5908DC-T1-GE3
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SI5908DC-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI5908DC-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 22 S
上升时间 36 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5904DC-T1-GE3 SI5904DWF
单位重量 85 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.525722 | 10.53 |
| 100 | 4.208622 | 420.86 |
| 1000 | 3.791927 | 3791.93 |
品牌其他型号
SI5908DC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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