SI5908DC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
阈值电压 1 V
上升时间 36 ns
下降时间 12 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3216
封装 1206
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 1.6 mm
封装公制 3216
封装 1206
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5908DC-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5908DC-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 20V,5.9A,双N沟道MOSFET | 搜索库存 |