制造商型号： | SI1022R-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI1022R-T1-GE3
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SI1022R-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1022R-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 330 mA
漏源电阻 2.25 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导（Min） 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1022R-GE3
单位重量 2.400 mg
库存： 23240
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.332167 | 9.33 |
| 10 | 7.067969 | 70.68 |
| 100 | 5.258142 | 525.81 |
| 500 | 4.380613 | 2190.31 |
| 1000 | 3.700587 | 3700.59 |
品牌其他型号
SI1022R-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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