制造商型号： | SQJ940EP-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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SILICONIX(威世) SQJ940EP-T1_GE3
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SQJ940EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ940EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 15 A, 18 A
漏源电阻 13.3 mOhms, 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 20 nC, 48 nC
耗散功率 48 W, 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.9 ns, 13.5 ns
正向跨导（Min） 64 S, 102 S
上升时间 9.3 ns, 9.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.6 ns, 47 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns, 7.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ940EP-T1_GE3 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.017148 | 7.02 |
| 10 | 6.817134 | 68.17 |
品牌其他型号
SQJ940EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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