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SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SQJ940EP-T1_GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 40 V, 0.0133 ohm, 10 V, 2 V

The SQJ940EP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET
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100% Rg and UIS tested

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A 4-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
DUAL N-CH 40-V PPAK SO-8L


Newark:
# VISHAY  SQJ940EP-T1_GE3  MOSFET Transistor, Dual N Channel, 15 A, 40 V, 0.0133 ohm, 10 V, 2 V


SQJ940EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0133 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SQJ940EP-T1_GE3引脚图与封装图
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SQJ940EP-T1_GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SQJ940EP-T1_GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 40 V, 0.0133 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存