制造商型号： | SI2356DS-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI2356DS-T1-GE3
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SI2356DS-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI2356DS-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 51 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2356DS-T1-BE3
单位重量 8 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥4.880316 总价：￥4.88 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.880316 | 4.88 |
| 10 | 3.92928 | 39.29 |
| 100 | 2.677918 | 267.79 |
| 500 | 2.007937 | 1003.97 |
| 1000 | 1.506017 | 1506.02 |
品牌其他型号
SI2356DS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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