制造商型号: | CSD87333Q3D |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD87333Q3D
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CSD87333Q3D 中文资料
数据手册PDF
CSD87333Q3D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 14.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.2 ns
正向跨导(Min) 43 S
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20.600 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 3.799573 | 9498.93 |
5000 | 3.60962 | 18048.10 |
12500 | 3.473898 | 43423.72 |
品牌其他型号
CSD87333Q3D品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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