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CSD87333Q3D

CSD87333Q3D

TI(德州仪器) 分立器件

高占空比同步降压 NexFET™ 3x3 电源块

NexFET 电源块是面向同步降压和升压应用的优化设计方案,能够以 3.3mm x 3.3mm 的小外形尺寸提供高电流、高效率以及高频率性能。 已针对 5V 栅极驱动应用进行优化,这款产品在与外部控制器或驱动器配对使用时可在高占空比应用中提供灵活的解决方案。

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半桥电源块
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已针对高占空比进行优化
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高达 24 Vin
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电流 8A 时,系统效率达到 94.7%
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电流 8A 时,PLoss 1.5W
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工作电流高达 15A
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高频运行(高达 1.5MHz)
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高密度 — 3.3mm x 3.3mm 小外形尺寸无引线 SON 封装
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针对 5V 栅极驱动进行了优化
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低开关损耗
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超低电感封装
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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无铅端子镀层

## 应用范围

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同步降压转换器
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高频应用
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高占空比应用
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同步升压转换器
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负载点 POL 直流 - 直流转换器
CSD87333Q3D中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0119 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 6 W

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3.9 ns

输入电容Ciss 662pF @15VVds

额定功率Max 6 W

下降时间 2.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1 mm

封装 VSON-8

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD87333Q3D引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CSD87333Q3D TI 德州仪器 高占空比同步降压 NexFET™ 3x3 电源块 搜索库存
替代型号CSD87333Q3D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD87333Q3D

品牌: TI 德州仪器

封装: SON Dual N-Channel

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高占空比同步降压 NexFET™ 3x3 电源块

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