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CSD87334Q3D、CSD87334Q3DT、CSD87333Q3D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87333Q3D

描述 CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块CSD87334Q3DT 编带高占空比同步降压 NexFET™ 3x3 电源块

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电源配件电源配件MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 PowerTDFN-8 VSON-8

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0049 Ω 0.0119 Ω

极性 - - Dual N-Channel

耗散功率 6 W 6 W 6 W

阈值电压 - 900 mV 950 mV

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 7 ns 7 ns 3.9 ns

输入电容(Ciss) 1260pF @15V(Vds) 1260pF @15V(Vds) 662pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 6 W 6 W 6 W

下降时间 17 ns 17 ns 2.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 6000 mW 6000 mW -

长度 - - 3.3 mm

宽度 - - 3.3 mm

高度 1.05 mm - 1 mm

封装 PowerTDFN-8 PowerTDFN-8 VSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 125℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99