制造商型号: | CSD88599Q5DCT |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD88599Q5DCT
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CSD88599Q5DCT 中文资料
数据手册PDF
CSD88599Q5DCT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100.600 mg
库存: 3
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 58.823962 | 58.82 |
10 | 52.883782 | 528.84 |
100 | 43.326332 | 4332.63 |
品牌其他型号
CSD88599Q5DCT品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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