CSD88599Q5DC、CSD88599Q5DCT对比区别

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型号 CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT

描述 采用 SON 5mm x 6mm DualCool 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率块 MOSFET 22-VSON-CLIP -55 to 150双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 22 27

封装 22-VSON-CLIP 22-VSON-CLIP

针脚数 - 22

漏源极电阻 - 0.0017 Ω

耗散功率 12 W 12 W

阈值电压 - 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

上升时间 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 4840pF @30V(Vds) 4840pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 12 W 12 W

下降时间 3 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 12000 mW 12000 mW

封装 22-VSON-CLIP 22-VSON-CLIP

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准