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CSD88599Q5DCT

CSD88599Q5DCT

TI(德州仪器) 电子元器件分类

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V

Mosfet Array 2 N-Channel Half Bridge 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP 5x6


得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 22-VSON-CLIP


立创商城:
CSD88599Q5DCT


德州仪器TI:
60-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™ power block, 40 A


贸泽:
MOSFET 60V, Nch synchronous buck NexFET MOSFETG , SON5x6 dualCool PowerBlock, 40A 22-VSON-CLIP -55 to 150


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 0.0017 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 27-Pin VSON-CLIP EP T/R


Verical:
Power Block 22-Pin VSON-CLIP EP T/R


CSD88599Q5DCT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 22

漏源极电阻 0.0017 Ω

耗散功率 12 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 4840pF @30VVds

额定功率Max 12 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 12000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 27

封装 22-VSON-CLIP

外形尺寸

封装 22-VSON-CLIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

CSD88599Q5DCT引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CSD88599Q5DCT TI 德州仪器 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号CSD88599Q5DCT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD88599Q5DCT

品牌: TI 德州仪器

封装:

当前型号

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: CSD88599Q5DC

品牌: 德州仪器

封装:

完全替代

采用 SON 5mm x 6mm DualCool 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率块 MOSFET 22-VSON-CLIP -55 to 150

CSD88599Q5DCT和CSD88599Q5DC的区别