制造商型号: | CSD87334Q3DT |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD87334Q3DT
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CSD87334Q3DT 中文资料
数据手册PDF
CSD87334Q3DT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 8.3 mOhms, 8.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 17 ns
正向跨导(Min) 62 S
上升时间 7 ns, 7 ns
典型关闭延迟时间 11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns, 4 ns
规格参数
开发套件 VSON
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 76 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥21.756395 总价:¥21.76 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 21.756395 | 21.76 |
10 | 19.532137 | 195.32 |
25 | 18.426086 | 460.65 |
100 | 15.697421 | 1569.74 |
品牌其他型号
CSD87334Q3DT品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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