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CSD87334Q3DT

CSD87334Q3DT

TI(德州仪器) 电源器件

CSD87334Q3DT 编带

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V - 6W 表面贴装型 8-VSON(3.3x3.3)


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON


立创商城:
双N沟道半桥 30V


德州仪器TI:
30-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A


艾睿:
High Frequency Synchronous Power Module


安富利:
Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin VSON T/R


Verical:
High Frequency Synchronous Power Module


CSD87334Q3DT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0049 Ω

耗散功率 6 W

阈值电压 900 mV

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1260pF @15VVds

额定功率Max 6 W

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

CSD87334Q3DT引脚图与封装图
CSD87334Q3DT引脚图

CSD87334Q3DT引脚图

CSD87334Q3DT封装图

CSD87334Q3DT封装图

CSD87334Q3DT封装焊盘图

CSD87334Q3DT封装焊盘图

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型号: CSD87334Q3DT

品牌: TI 德州仪器

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CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块

CSD87334Q3DT和CSD87334Q3D的区别