制造商型号： | SI3552DV-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI3552DV-T1-GE3
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SI3552DV-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI3552DV-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A, 1.8 A
漏源电阻 105 mOhms, 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 3.6 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 7 ns
正向跨导（Min） 4.3 S, 2.4 S
上升时间 9 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3552DV-GE3
单位重量 20 mg
SI3552DV-T1-GE3 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥10.998423 总价：￥11.00 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.998423 | 11.00 |
| 10 | 9.64681 | 96.47 |
| 100 | 7.392796 | 739.28 |
| 500 | 5.843741 | 2921.87 |
| 1000 | 4.674992 | 4674.99 |
品牌其他型号
SI3552DV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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