SI3552DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.085 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.15 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3552DV-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI3552DV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3552DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3552DV-T1-GE3 晶体管, 双N&P沟道 | 搜索库存 |
替代型号SI3552DV-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI3552DV-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TSOP N-Channel 30V | 当前型号 | VISHAY SI3552DV-T1-GE3 晶体管, 双N&P沟道 | 当前型号 |
| 型号： SI3552DV-T1-E3 品牌： 威世 封装： TSOP N-Channel 30V 51A 105mΩ | 完全替代 | VISHAY SI3552DV-T1-E3 场效应管, MOSFET, 1.15W, 6-TSOP, SMD | SI3552DV-T1-GE3和SI3552DV-T1-E3的区别 |
| 型号： BSL316C L6327 品牌： 英飞凌 封装： TSOP N-Channel | 功能相似 | INFINEON BSL316C L6327 双路场效应管, MOSFET, 互补晶体管, N和P沟道, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V | SI3552DV-T1-GE3和BSL316C L6327的区别 |