制造商型号: | SI2302CDS-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI2302CDS-T1-E3
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SI2302CDS-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI2302CDS-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 57 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 710 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-E3
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.772811 | 2318.43 |
6000 | 0.740722 | 4444.33 |
9000 | 0.666665 | 5999.98 |
30000 | 0.656785 | 19703.55 |
75000 | 0.617269 | 46295.17 |
品牌其他型号
SI2302CDS-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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