制造商型号: | TP0610K-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) TP0610K-T1-E3
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TP0610K-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
TP0610K-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 185 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TP0610K-E3
单位重量 8 mg
库存: 970242
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.813828 | 5.81 |
10 | 4.552104 | 45.52 |
100 | 2.728789 | 272.88 |
500 | 2.526913 | 1263.46 |
1000 | 1.718297 | 1718.30 |
品牌其他型号
TP0610K-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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