制造商型号： | SI4532CDY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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SILICONIX(威世) SI4532CDY-T1-GE3
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SI4532CDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4532CDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.3 A, 6 A
漏源电阻 47 mOhms, 89 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6 nC, 7.8 nC
耗散功率 2.78 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns, 7.7 ns
正向跨导（Min） 7 S
上升时间 12 ns, 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns, 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4532CDY-GE3
单位重量 750 mg
SI4532CDY-T1-GE3 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 1.575164 | 3937.91 |
| 5000 | 1.492238 | 7461.19 |
| 12500 | 1.381732 | 17271.65 |
| 25000 | 1.368035 | 34200.88 |
品牌其他型号
SI4532CDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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