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SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI4532CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V

The is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested
SI4532CDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.038 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.78 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.78 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

SI4532CDY-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI4532CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V 搜索库存
替代型号SI4532CDY-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SI4532CDY-T1-GE3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： SOIC N-Channel

当前型号

VISHAY  SI4532CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V

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