制造商型号: | EMB03N03HR |
制造商: | EMC (杰力) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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EMC(杰力) EMB03N03HR
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制造商型号
EMB03N03HR
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
75A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
3mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
50W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
EMB03N03HR品牌厂家:EMC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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