制造商型号: | EMB09N03V |
制造商: | EMC (杰力) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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EMC(杰力) EMB09N03V
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EMB09N03V 规格参数
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参数值
制造商型号
EMB09N03V
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
20A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
9mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2.5W
类型
N沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
EMB09N03V品牌厂家:EMC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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