制造商型号: | EMB12P03G |
制造商: | EMC (杰力) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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EMC(杰力) EMB12P03G
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EMB12P03G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EMB12P03G
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
13A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
10mΩ @ 13A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2.5W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.078412 | 1.08 |
30 | 0.970888 | 29.13 |
品牌其他型号
EMB12P03G品牌厂家:EMC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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