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关于EMC杰力

杰力公司成立于民国97年，为一专业功率组件及IC设计公司，产品主要应用于：计算机主板、笔记本电脑、LCD监视器及电视、LED照明、电源供应器及其他消费性电子产品等。 杰力公司技术及经营团队拥有丰富的电源系统技术服务、功率半导体组件、制程及封装设计之学经历，且具备成功经验实务，是少数具备垂直整合能力之设计公司。具备整合自身及供货商之技术能力，配合客户之需求，除提供必要之高效率功率组件IC，更提供用户快速及完整之解决方案，符合在第一时间将创新及高效能产品推进市场之要求，与上下游成为重要之合作伙伴。 主要业务系从事功率组件(Power Device)、电源管理集成电路(Power Management IC)及电源模块(Power Module)之研究、开发、设计、制造及销售。

英文全称：EMC

中文全称：杰力

英文简称：EMC

品牌介绍： 杰力EMC

产品分类
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
TS0520F_未分类
TS0520F
EMC(杰力)
授权代理品牌
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￥77.077

库存： 有货

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SSDCI1108AF_时钟/计时专用IC
SSDCI1108AF
EMC(杰力)
授权代理品牌
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￥9.1258

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￥6.8083

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￥6.386

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￥5.9534

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￥5.768

库存： 有货

国内：1~2 天

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EMF02P02H_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMF02P02H
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.9149

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￥2.2042

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￥2.0806

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￥1.9467

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￥1.8849

库存： 有货

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EMB17C03G_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB17C03G
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc),8(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,10V;20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W(Tc) 类型：N沟道和P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.408216

+10：

￥1.052969

+30：

￥0.98777

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￥0.922468

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￥0.893525

库存： 有货

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EMB20N03V_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB20N03V
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥0.643091

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￥0.488653

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￥0.460286

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￥0.43192

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￥0.419313

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EMF03N02HR_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMF03N02HR
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：71A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.9261

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￥1.4111

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￥1.3184

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￥1.2154

+500：

￥1.1742

库存： 有货

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EMF20A02G_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMF20A02G
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.660669

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￥1.228275

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￥1.148862

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￥1.069449

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￥1.03412

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EMB12P03G_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB12P03G
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.42346

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￥1.052763

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￥0.98468

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￥0.916597

+500：

￥0.886418

库存： 有货

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EMB22A04G_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB22A04G
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.408422

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￥1.017125

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￥0.945231

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￥0.87344

+500：

￥0.84151

库存： 有货

国内：1~2 天

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EMF50N03JS_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMF50N03JS
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.04W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥0.428727

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￥0.325768

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￥0.306858

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￥0.287947

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￥0.279542

库存： 有货

国内：1~2 天

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EMB20P03G_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB20P03G
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.352802

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￥0.976955

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￥0.907945

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￥0.838935

+500：

￥0.808241

库存： 有货

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EMBA5P06J_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMBA5P06J
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥0.685964

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￥0.521229

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￥0.490972

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￥0.460715

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￥0.447267

库存： 有货

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EMB17A03G_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB17A03G
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.225803

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￥0.906606

+30：

￥0.847999

+100：

￥0.789289

+500：

￥0.76323

库存： 有货

国内：1~2 天

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EMB09N03V_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB09N03V
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.072333

+10：

￥0.809786

+30：

￥0.761479

+100：

￥0.713275

+500：

￥0.691851

库存： 有货

国内：1~2 天

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EMB20P03V_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB20P03V
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.019185

+10：

￥0.736141

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￥0.684126

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￥0.632111

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￥0.608936

库存： 有货

国内：1~2 天

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EMB09P03V_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB09P03V
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.565703

+10：

￥1.195109

+30：

￥1.127026

+100：

￥1.058943

+500：

￥1.028661

库存： 有货

国内：1~2 天

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EMB03N03HR_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMB03N03HR
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.445399

+10：

￥1.043905

+30：

￥0.970157

+100：

￥0.896409

+500：

￥0.863655

库存： 有货

国内：1~2 天

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EMF20B02V_晶体管-FET，MOSFET-射频
EMF20B02V
EMC(杰力)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.667776

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￥1.204482

+30：

￥1.119404

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￥1.034326

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￥0.996422

库存： 有货

国内：1~2 天

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