制造商型号: | EMF20B02V |
制造商: | EMC (杰力) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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EMC(杰力) EMF20B02V
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EMF20B02V 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EMF20B02V
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道
漏源电压(Vdss)
-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
8.5A
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 8.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2W
类型
双P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.757233 | 1.76 |
10 | 1.413501 | 14.14 |
30 | 1.164296 | 34.93 |
100 | 0.958819 | 95.88 |
500 | 0.923683 | 461.84 |
品牌其他型号
EMF20B02V品牌厂家:EMC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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