 | | MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
 | | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
 | | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： - 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC |
 | | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Through Hole 工作温度： - 封装/外壳： 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 8-PDIP |
 | | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC |
 | | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
| | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 8-PDIP |
| | MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
| | MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
 | | MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
 | | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC |
 | | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC |
| | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 8-PDIP |
 | | MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
 | | MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
 | | MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
 | | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
 | | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
 | | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： - 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Through Hole 工作温度： - 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
 | | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
 | | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
| | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 8-PDIP |
| | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Through Hole 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供应商器件封装： 16-PDIP |
 | | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD® 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
 | | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： EPAD®, Zero Threshold™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 0°C ~ 70°C (TJ) 封装/外壳： 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 16-SOIC |
