制造商型号: | ALD1116PAL |
制造商: | ALD |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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客服: | |
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ALD ALD1116PAL
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ALD1116PAL 中文资料
数据手册PDF
ALD1116PAL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.8 mA
漏源电阻 350 Ohms, 350 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1 g
ALD1116PAL 引脚图与封装图
ALD1116PAL引脚图
ALD1116PAL封装图
ALD1116PAL封装焊盘图
库存: 82
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 69.840826 | 69.84 |
10 | 62.708408 | 627.08 |
100 | 51.378126 | 5137.81 |
500 | 43.737416 | 21868.71 |
1000 | 36.887081 | 36887.08 |
2000 | 35.042789 | 70085.58 |
品牌其他型号
ALD1116PAL品牌厂家:ALD
,所属分类: 射频晶体管
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