制造商型号： | ALD1101BPAL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ALD ALD1101BPAL
图像仅供参考
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ALD1101BPAL 中文资料
数据手册PDF
ALD1101BPAL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 40 mA
漏源电阻 50 Ohms, 50 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1 g
ALD1101BPAL 引脚图与封装图
ALD1101BPAL引脚图
ALD1101BPAL封装图
ALD1101BPAL封装焊盘图
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 50 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥71.93677 总价：￥3596.84 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 50 | 71.93677 | 3596.84 |
品牌其他型号
ALD1101BPAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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