制造商型号： | ALD111933SAL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ALD ALD111933SAL
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ALD111933SAL 中文资料
数据手册PDF
ALD111933SAL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 6.9 mA
漏源电阻 500 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 3.25 V
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
ALD111933SAL 引脚图与封装图
ALD111933SAL引脚图
ALD111933SAL封装图
ALD111933SAL封装焊盘图
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥46.211528 总价：￥46.21 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 46.211528 | 46.21 |
| 10 | 41.466816 | 414.67 |
| 25 | 39.19825 | 979.96 |
| 100 | 31.359588 | 3135.96 |
| 250 | 29.617388 | 7404.35 |
| 500 | 27.87519 | 13937.59 |
| 1000 | 23.868131 | 23868.13 |
| 2500 | 23.519692 | 58799.23 |
| 5000 | 21.429052 | 107145.26 |
品牌其他型号
ALD111933SAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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