制造商型号: | ALD210808ASCL |
制造商: | ALD |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ALD ALD210808ASCL
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ALD210808ASCL 中文资料
数据手册PDF
ALD210808ASCL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标名 EPAD
商标 Advanced Linear Devices
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 10.6 V
漏极电流 80 mA
漏源电阻 25 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 820 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
晶体管类型 4 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 666 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 50 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥68.138528 总价:¥3406.93 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
50 | 68.138528 | 3406.93 |
品牌其他型号
ALD210808ASCL品牌厂家:ALD
,所属分类: 射频晶体管
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