制造商型号： | ALD212900APAL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ALD ALD212900APAL
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ALD212900APAL 中文资料
数据手册PDF
ALD212900APAL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 79 mA
漏源电阻 14 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 0 V
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Depletion
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
ALD212900APAL 引脚图与封装图
ALD212900APAL引脚图
ALD212900APAL封装图
ALD212900APAL封装焊盘图
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥85.750781 总价：￥85.75 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 85.750781 | 85.75 |
| 10 | 77.43518 | 774.35 |
| 100 | 64.111682 | 6411.17 |
| 500 | 55.827467 | 27913.73 |
| 1000 | 49.115183 | 49115.18 |
品牌其他型号
ALD212900APAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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