制造商型号： | ALD212908ASAL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ALD ALD212908ASAL
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ALD212908ASAL 中文资料
数据手册PDF
ALD212908ASAL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标名 EPAD
商标 Advanced Linear Devices
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10.6 V
漏极电流 80 mA
漏源电阻 14 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 820 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 50 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥70.416979 总价：￥3520.85 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 50 | 70.416979 | 3520.85 |
品牌其他型号
ALD212908ASAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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