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STS6PF30L

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:STripFET™
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:28nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1670pF @ 25V
功率 - 最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*

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