制造商:Vishay
RoHS:否
配置:SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.035Ohms
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:5.8A
功率耗散:1.3W
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SO-8
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:100
SI4412ADY
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4410DYPBF | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | HEXFET POWER MOSFET | 立即购买 |
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