制造商型号： | STS6P3LLH6 |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ST(意法半导体) STS6P3LLH6
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STS6P3LLH6 中文资料
数据手册PDF
STS6P3LLH6 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS6P3LLH6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
30mOhm @ 3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA (Min)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1450pF @ 24V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.7W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
库存： 5
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 27 | 6.199037 | 167.37 |
| 50 | 5.951053 | 297.55 |
| 100 | 5.703068 | 570.31 |
| 300 | 5.455084 | 1636.53 |
| 500 | 5.207243 | 2603.62 |
| 1000 | 4.959258 | 4959.26 |
品牌其他型号
STS6P3LLH6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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