类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerMESH™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 25A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：115nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3400pF @ 25V
功率 - 最大：280W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
包装：管件
供应商设备封装：*
其它名称：497-2670-5
STW50NB20
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW50N65DM2AG | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 650V 28A | 立即购买 |
| STW50NB20 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247 | 立即购买 |
| STW50N65DM6 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3 | 立即购买 |
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