制造商型号： | ZXMC3A16DN8TA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMC3A16DN8TA
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ZXMC3A16DN8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMC3A16DN8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.4 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.4 ns
上升时间 6.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 21.6 ns
典型接通延迟时间 3 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 500 | 6.286677 | 3143.34 |
品牌其他型号
ZXMC3A16DN8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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