mos管实现主副电源自动切换电路,并且“零”压降,静态电流20uA
在国外看到一个电路,也是写主副电源...这个电路咋一看复杂很多,其实很简单,巧妙的利用了MOS管导通的时候低Rds的特性,相比二极管的方式,在成本控制较低的情况下,极大的提高了效率。 本电路实现了,当Vin1 = 3.3V
发布时间:2023-01-16
在国外看到一个电路,也是写主副电源...这个电路咋一看复杂很多,其实很简单,巧妙的利用了MOS管导通的时候低Rds的特性,相比二极管的方式,在成本控制较低的情况下,极大的提高了效率。 本电路实现了,当Vin1 = 3.3V
发布时间:2023-01-16
实验一:单机放大器附件:实验前准备工作共发射极放大电路的分析与综合 一、电路原理图二、直流分析如图,β=2002. 欲使UCQ=6V,求:Pot1URc?Vcc?UCQ?12V?6V?6VICQ?ICQURc?1.176mA RCIBQ??...Re2...
发布时间:2023-01-16
仅仅过去不到四年,IBM 又率先公布 2nm 芯片制造技术,不仅具有更高的晶体管密度,而且采用了全新的 GAA 工艺设计。与当前 7nm 和 5nm 相比,2nm 在性能和功耗上均显著提升,将为半导体行业注入新的活力。 作为...
发布时间:2023-01-16
仿真1.1.1 共射极基本放大电路按图7.1-1搭建共射极...1. 静态工作点分析选择分析菜单中的直流工作点分析选项(Analysis/DC Operating Point)(当然,也可以使用仪器库中的数字多用表直接测量)分析结果表明晶体管Q...
发布时间:2023-01-16
常用晶体管参数大全Daten ohne Gewahr2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B>602N...
发布时间:2023-01-15
二氧化钛纳米片负载MIL100(Fe)|bmim][Tf2N]离子液体(IL)负载UiO-66-PEI(齐岳)
发布时间:2023-01-15
“简 介: 本文介绍了早期 苏联晶体三极管[1] 的外观和内部结构。这些内容可以帮助我们对晶体三极管工作原理产生直观印象。对于上个世纪出生的人来说,这些都是满满的回忆,也见证电子学是如何从...
发布时间:2022-11-04
简 介: 的确在淘宝 上有各种销售渠道... 其中有一个基于 基于场效应管2N3819+555 检测方案。下面将在TB 2N3819(¥1.0) 进行初步测试。 一、场效应管2N3819 根据 2N3819数据手册 可以初步得到他的基本特性..
发布时间:2022-10-24