关于MOS管的Rds学习
导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数
发布时间：2023-11-07
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模拟CMOS 第2章 MOS器件物理基础
文章目录模拟CMOS 第2章 MOS器件物理基础2.1 基本概念2.1.1 MOSEFT开关2.1.2 MOSEFT结构2.1.3 MOS符号2.2 MOS的I/V特性2.2.1 阈值电压2.2.2 I/V特性的推导2.3 二级效应2.4 MOS器件模型2.4.1 MOS器件版图2.4.2 MOS...
发布时间：2023-11-07
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浅谈开关电源MOS管发热的原因
MOS管常加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流，通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应。在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，漏极原封不动地接负载...
发布时间：2023-09-19
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MOS管被ESD击穿解决方案-KIA MOS管
MOS管被ESD击穿？如何改善？ 大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具备防静电、防浪涌，...MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形
发布时间：2023-01-11
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MOS管被静电击穿的原因和防护措施解决方案
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏，又因在静电较强的场合难于泄...
发布时间：2023-01-11
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OPA（运放）与MOS管组成的恒流源电路
而MOS则是利用Ugs的电压去控制电流 Id 的，所以说 MOS 管是电压控制电流的器件。 对于N沟道增强型的MOS管，当Ugs>Ugs(th)时，MOS就会开始导通，如果在D极和S极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。 在一定的...
发布时间：2022-10-29
Proteus元器件对照表
Proteus元器件对照表Proteus的这25大类元器件ANY电子比如，搜寻数码管，通常直接使用seg进行搜索即可。原理图常用库文件： Proteus的这25大类元器件 Analog ICs 模拟IC CMOS 4000 series CMOS 4000系列 ...
发布时间：2022-10-05
开关电源电路图及原理12v分析-详细版
1、开关电源的电路组成开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护...
发布时间：2022-09-27
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mos 控制交流_功率半导体器件之MOS晶体管
这种晶体管结构简单，几何尺寸可以做得很小，输入阻抗高，功耗低，性能稳定，易于大规模集成。MOS管的结构以N沟道横向MOS管为例，其结构如下图所示，在P型半导体表面有一层薄膜氧化膜，氧化膜上再镀一层金属膜。在这...
发布时间：2022-09-06