《炬丰科技-半导体工艺》GaAs 和GaN 的湿热氧化
本章专门讨论 AIIIBV 半导体化合物的热湿氧化，主要是砷化镓和氮化镓。它分为几个主题，包含单斜晶系氧化镓1 b-Ga2O3 特性数据、氧化物制造技术和应用说明。在第一部分中，对上述半导体氧化物的性质进行了表征。...
发布时间：2023-09-09
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基于氮化镓的电源解决方案总体拥有成本评估
引言近年来，电信市场正在朝云计算的方向转变，这导致超大规模数据中心空前快速的增长，而每个机架需要处理的功能也越来越多。反过来，这种趋势也意味着对功率的需求快速增加，而重点则是采用消耗更少电力的更高效、...
发布时间：2023-09-09
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氮化镓材料研究
新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一些独特特性。氮化镓具有与硅相当的电子迁移率，但具有一个三倍大的带隙，使之成为极好的高功率应用和高温的候选人操作。能够形成薄型algan /GaN异质...
发布时间：2023-09-09
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中国氮化镓(GaN)市场销售规模与需求潜力预测报告2022版
中国氮化镓(GaN)市场销售规模与需求潜力预测报告2022版 --------------------------------------- 【修订日期】：2021年12月 【搜索鸿晟信合研究院查看官网更多内容！】 第一章 氮化镓相关概述 ...
发布时间：2022-12-08
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全球及中国氮化镓(GaN)市场产值规模预测与应用前景分析报告2022版
全球及中国氮化镓(GaN)市场产值规模预测与应用前景分析报告2022版 ------------------------------------- 《出版单位》：鸿晟信合研究院【专员客服对接】 《修订日期》：2022年2月 《客服人员》：周文文 ...
发布时间：2022-12-08
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氮化镓（GaN）技术推动电源管理不断革新
原标题：氮化镓(GaN)技术推动电源管理不断革新 我们可以想象一下：当你驾驶着电动汽车行驶在马路上，电动车充电设备的充电效率可以达到你目前所用充电效率的两倍；仅有一半大小的电机驱动比目前应用的效率更高；...
发布时间：2022-10-07
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TMAH溶液进行化学蚀刻后晶体平面的表征
本文提出了一种将垂直氮化镓鳍式场效应晶体管中的鳍式沟道设计成直而光滑的沟道侧壁的新技术。因此，详细描述了在TMAH溶液中的氮化镓湿法蚀刻；我们发现m-GaN平面比包括a-GaN平面在内的其他取向的晶面具有更低的表面...
发布时间：2022-09-11
氧化镓-新一代半导体材料
在所有其他参数相同的情况下，对于电子应用，宽带隙(WBG)半导体优于窄带半导体(如硅)，因为导带和价带之间的大能量分离允许这些器件在高温和较高电压下工作。例如，与行业巨头硅1.1eV的相对窄带隙相比，氮化镓(GaN)...
发布时间：2022-08-20
集成电路技术与产业发展
一、集成电路的发明与技术进步 1.1 集成电路与集成电路产业，Integrated Circuit（IC） 1.1.1 集成电路的概念 1.1.2 集成电路的发明 1.1.3摩尔定律 1.1.4 集成电路经营模式 ...1.1.5 集成电路工艺的进步 ...
发布时间：2022-08-16