制造商型号： | CSD86311W1723 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD86311W1723
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CSD86311W1723 中文资料
数据手册PDF
CSD86311W1723 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.9 ns
正向跨导（Min） 6.4 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.2 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 2.32 mm
宽度 1.74 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4.100 mg
库存： 1107
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.50262 | 10.50 |
| 10 | 9.390578 | 93.91 |
| 25 | 8.908693 | 222.72 |
| 100 | 6.68152 | 668.15 |
| 250 | 6.617886 | 1654.47 |
| 500 | 5.663383 | 2831.69 |
| 1000 | 4.613431 | 4613.43 |
品牌其他型号
CSD86311W1723品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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