制造商型号： | SIS990DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIS990DN-T1-GE3
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SIS990DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIS990DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 12.1 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存： 14189
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.057767 | 11.06 |
| 10 | 9.007732 | 90.08 |
| 100 | 7.009879 | 700.99 |
| 500 | 5.941625 | 2970.81 |
| 1000 | 4.840072 | 4840.07 |
品牌其他型号
SIS990DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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