SIS990DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2800 mW
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 250pF @50VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
外形尺寸
高度 1.07 mm
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIS990DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIS990DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 100V 4.1A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 搜索库存 |