制造商型号： | SQ2308CES-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 2.3A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SQ2308CES-T1_GE3
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SQ2308CES-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ2308CES-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ2308CES-T1_BE3
单位重量 8 mg
库存： 27642
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.272415 | 9.27 |
| 10 | 7.939505 | 79.40 |
| 100 | 5.524332 | 552.43 |
| 500 | 4.313122 | 2156.56 |
| 1000 | 3.505842 | 3505.84 |
品牌其他型号
SQ2308CES-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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