制造商型号: | SI4804CDY-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4804CDY-T1-GE3
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SI4804CDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4804CDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4804CDY-GE3
单位重量 187 mg
库存: 767
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.95432 | 8.95 |
10 | 7.760411 | 77.60 |
100 | 5.370106 | 537.01 |
500 | 4.486861 | 2243.43 |
1000 | 3.81852 | 3818.52 |
品牌其他型号
SI4804CDY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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