制造商型号: | SQ2309ES-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CHAN 60V SOT23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQ2309ES-T1_GE3
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SQ2309ES-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ2309ES-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 268 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ2309ES-T1_BE3
单位重量 12 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.627629 | 4882.89 |
6000 | 1.52266 | 9135.96 |
15000 | 1.417623 | 21264.35 |
30000 | 1.344131 | 40323.93 |
品牌其他型号
SQ2309ES-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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