制造商型号: | CSD87502Q2 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD87502Q2
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CSD87502Q2 中文资料
数据手册PDF
CSD87502Q2 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 9.700 mg
库存: 70684
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.18654 | 7.19 |
10 | 6.269636 | 62.70 |
25 | 5.892964 | 147.32 |
100 | 4.808788 | 480.88 |
250 | 4.466558 | 1116.64 |
500 | 3.801185 | 1900.59 |
1000 | 3.040898 | 3040.90 |
品牌其他型号
CSD87502Q2品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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