CSD87502Q2
TI(德州仪器)
分立器件
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路 SON2x2、42mΩ 6-WSON -55 to 150
是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 FET 采用半桥配置，适用于同步降压等电源 应用。此外，这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型 应用。
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- 低导通电阻
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- 两个独立的金属氧化物半导体场效应 MOSFET
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- 节省空间的小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装
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- 针对 5V 栅极驱动器而优化
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- 雪崩级
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- 无铅且无卤素
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- 符合 RoHS 环保标准
## 应用范围
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- 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
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- 针对笔记本个人电脑 PC 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
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- 电池保护
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